BLOCK: Ein Teil eines kristallinen Barren (Ingot), aus dem die Wafer geschnitten werden. Die Grundfläche des Blocks entspricht der Größe der Wafer.
dm2 - QUADRATDEZIMETER: Eine Maßeinheit, die häufig für die Angabe von Wafer-Produktionsmengen verwendet wird.
Drahtsägen: Verfahren, bei dem kristallisierte Siliziumblöcke mit einer Säge aus einem Netz von dünnen metallischen Drähten und einem Schneidmittel, z. B. Slurry, in dünne Scheiben geschnitten werden.
DÜNNFILM: Photovoltaik-Technologie, bei der die Erzeugung von Solarenergie in einer dünnen Schicht aus Halbleitermaterial stattfindet, das in der Regel in mehreren Schichten auf Glas aufgetragen ist. Herkömmliche Photovoltaik-Module werden mit Wafern als Halbleitermaterial hergestellt.
EJ (EXAJOULE): Einheit von Energie, 1018 Joule, die oft als Maßeinheit für den jährlichen weltweiten Energieverbrauch verwendet wird.
ELEKTRONIKSILIZIUM: Auch „Electronic Grade“ Silizium. Silizium mit einer Reinheit zwischen 99,9999999 Prozent und 99,999999999 Prozent (9N-11N).
FLIESSZONENSILIZIUM: Polysilicium von hoher Qualität für Fließzonen-Ingots von höchster Qualität.
INGOT: Das Stück Silizium, das erzeugt wird, wenn Polysilizium geschmolzen und in einem Ofen kristallisiert wird. Die typische Größe für multikristalline Ingots ist 680 x 680 mm bei einem Gewicht von 250 bis 300 kg. Monokristalline Ingots sind zylindrisch mit typischen Durchmessern zwischen 150 mm und 200 mm und einem Gewicht von 40 bis 60 kg.
KRISTALL: Fester Stoff mit einer regelmäßigen Anordnung von Atomen oder Molekülen.
KRISTALLISATION VON INGOTS IM ZONNENSCHMELZVERFAHREN: Eine hochreine Alternative zum Czochralski-Verfahren. Ein Radiofrequenzfeld wird verwendet, um eine lokal geschmolzene Zone auf dem polykristallinen Stab zu erzeugen, wobei die Flüssigkeit nur in Kontakt mit Silizium kommt. Der Stab wird im Verhältnis zum Hochfrequenzfeld bewegt, so dass die geschmolzene Zone sich über die Stange bewegt. Ein Impfkristall wird an einem Ende verwendet, um das Wachstum in Gang zu setzen. Diese Schmelzzone trägt die Verunreinigungen mit sich fort, wodurch die Verunreinigungskonzentration verringert wird.
KRISTALLISATION VON MONOKRISTALLINEN INGOTS: Gewöhnlich durch das Czochralski-Verfahren (siehe dort) erzeugt, kann sich aber auch manchmal auf das Zonenschmelzverfahren beziehen. Um monokristalline Ingots im Czochralski-Verfahren herzustellen, wird hochreines Silizium zunächst in einem runden Quarztiegel geschmolzen. Danach wird ein Impfkristall als dünner Stab in das geschmolzene Silizium eingetaucht. Das Impfkristall des Stabs wird nach oben gezogen und gleichzeitig gedreht. Durch die exakte Steuerung der Temperatur sowie der Geschwindigkeit von Ziehen und Drehen kann aus der Schmelze ein großer zylindrischer Monokristall – der "Ingot" – gewonnen werden. Dieser Prozess wird in der Regel in einer inerten Atmosphäre durchgeführt.
KRISTALLISATION VON MULTIKRISTALLINEN INGOTS: Um multikristalline Ingots herzustellen, wird hochreines Silizium zunächst in einem quadratischen Quarztiegel geschmolzen. Danach beginnt von der Unterseite des Tiegels die Kristallisation, die sich mit zunehmender Abkühlung (gerichtete Erstarrung) oben hin fortsetzt. Dabei ist eine exakte Steuerung von Temperatur und Atmosphäre maßgeblich.
kW: Kilowatt. Einheit der Leistung (1.000 Watt).
kWh: Kilowatt-Stunde. Eine Einheit der Energie (Arbeit), die der Herstellung oder dem Verbrauch von einem Kilowatt in einer Stunde entspricht.
μm MIKROMETER (Mikron) 10–6 m: Maßeinheit, die typischerweise bei der Angabe der Dicke der Wafer benutzt wird. Ein Millimeter entspricht 1000 Mikrometern. Ein Haar ist in der Regel 60 Mikrometer dick.
MONOKRISTALLINES SILIZIUM: Verarbeitetes Silizium, wobei das gesamte Material aus nur einem einzigen Kristall besteht.
MULTIKRISTALLINES SILIZIUM: Verarbeitetes Silizium, wobei das Material aus mehreren kleinen (in der Regel 1-20 mm Durchmesser großen) Kristallkörnern besteht.
MW/MWp (Mega Watt Peak oder Million Watt Peak): Einheit der Leistung, verwendet zur Leistungsangabe in der PV-Industrie. Sie beschreibt die Wirkung der Solarzellen unter standardisierten Bedingungen bei hoher Isolierung.
POLYSILIZIUM: Hochreines Silizium, das in der Elektronik- und Solarindustrie verwendet wird.
PHOTOVOLTAIK- (PV-)EFFEKT: Die Erzeugung von Strom, wenn Sonnenlicht am Übergang zwischen zwei verschiedenen Stoffen (z. B. zwei unterschiedlich dotierten Halbleitern) einfällt.
SIEMENS REAKTOR: Konventioneller Reaktor für die Abscheidung von Silan oder Trichlorsilan auf langen Siliziumstangen. Wird von den meisten Herstellern von Polysilizium eingesetzt.
SILAN: Eine Gasverbindung aus Wasserstoff und Silizium. Eine Zwischenstufe bei der Herstellung von Polysilizium.
SILIZIUM: Das zweithäufigste Element (nach Sauerstoff) in der Erdkruste. Der Rohstoff für die Herstellung von Solarsilizium sowie Elektroniksilizium.
SILIZIUM-WAFER: Eine dünne Schicht von kristallinem Silizium, die als Schlüsselkomponente in einer Solarzelle verwendet wird.
SLURRY: Zum Schneiden verwendete Flüssigkeit beim Sägen von Siliziumblöcken zu Wafern. Bestehend aus Siliziumcarbid und Polyethylenglykol.
SOLARENERGIE: Bezieht sich auf aus der Sonneneinstrahlung gewonnenen Strom oder Wärme.
SOLARMODUL: Verschaltete Solarzellen, die hinter transparenten Materialien gekapselt und geschützt werden, um sie gegen Feuchtigkeit, Luft und mechanische Schäden beständig zu machen. Normalerweise werden die Solarmodule mit einer Vorderseite aus Glas, einer Polymer-Rückseite und einem Aluminiumrahmen hergestellt.
SOLARZELLE: Halbleiter-Gerät, das Strom erzeugt, wenn es der Sonne ausgesetzt wird. Besteht in der Regel aus Silizium-Wafern.
SOLARSILIZIUM: Silizium mit einer Reinheit zwischen 99,9999 Prozent bis 99,999999 Prozent (6N-8N).
TIEGEL: Ein Quarzgefäß für Schmelze und Kristallisation von Polysilizium bei der Herstellung von multi- und monokristallinen Silizium-Ingots.
Wp (Watt Peak): Energie aus Solarzellen wird in der Regel in Watt gemessen, wenn die Solarzelle einer Standardbestrahlung durch Sonnenlicht ausgesetzt ist (1000 W/m²), typischerweise zur optimalen Zeit („Peak“) eines Sommertages.
WIRBELSCHICHTREAKTOR (WSR)/ FLUßBETTREAKTOR (FBR): Eine Technologie zur Abscheidung von Polysilizium aus der Gasphase mit einem Reaktor, in dem feste Partikel (Silizium) fließen und in einem nach oben gerichteten Gasstrom (in der Regel Silan oder Trichlorsilan) in einer Kammer wachsen.